| 发明名称 |
GROWING METHOD FOR SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND FORMATION OF MOS TRANSISTOR |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
JPH0697074(A) |
申请公布日期 |
1994.04.08 |
| 申请号 |
JP19920272501 |
申请日期 |
1992.09.17 |
| 申请人 |
SONY CORP |
发明人 |
TAKAHASHI HIROSHI;NOGUCHI TAKASHI |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/265;H01L21/335;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/20;H01L29/784 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
