| 发明名称 |
ANALYZING METHOD FOR LEAKAGE CURRENT IN P-N JUNCTION AND EVALUATION OF CRYSTAL OF IG WAFER |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH0697247(A) |
申请公布日期 |
1994.04.08 |
| 申请号 |
JP19920270872 |
申请日期 |
1992.09.14 |
| 申请人 |
MITSUBISHI MATERIALS CORP;MITSUBISHI MATERIALS SHILICON CORP |
发明人 |
MURAKAMI YOSHIO;SHINGYOUCHI TAKAYUKI |
| 分类号 |
G01N21/88;G01R31/26;H01L21/66;(IPC1-7):H01L21/66 |
主分类号 |
G01N21/88 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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