| 摘要 |
<P>Une extrémité d'un laser à semiconducteur (1) est revêtue d'un film antireflet (1A). Un résonateur externe est construit avec un réseau de diffraction (2) et un miroir de réflexion externe (4). De plus, un séparateur de faisceau (3) est prévu entre le réseau de diffraction (2) et le miroir de réflexion externe (4). Une lumière de sortie venant du laser est transformée en une lumière parallèle (13A) et est fournie au séparateur de faisceau (3). La lumière parallèle (13A) modifie son parcours de lumière au niveau du séparateur de faisceau (3), et est ensuite fournie au résonateur externe. <BR/> Le séparateur de faisceau (3) est un réflecteur externe du côté du film antireflet (1A) et ledit résonateur externe transforme sa caractéristique de résonance en caractéristique réflective par ledit séparateur de faisceau (3).</P>
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