Verfahren zur Herstellung von p-dotierten Schichten insbesondere in II-VI-Halbleitern
摘要
Described is a method of producing p-doped layers, particularly in II-VI semiconductors, wherein the p-doped layer is produced in a CDV process using plasma activation of nitrogen-containing gases.
申请公布号
DE4232504(A1)
申请公布日期
1994.03.31
申请号
DE19924232504
申请日期
1992.09.28
申请人
AIXTRON GMBH, 52072 AACHEN, DE
发明人
HEIME, KLAUS, PROF. DR.RER.NAT., 5100 AACHEN, DE;HEUKEN, MICHAEL, DR.-ING., 5100 AACHEN, DE
