钯栅场效应晶体管

摘要

本实用新型公开了一种钯栅MOS器件的结构，它在器件的漏源两区金属电极与栅区之间的绝缘层上粘附一种与绝缘层和钯层均能牢固粘着的粘结层，并使金属栅钯层的边缘扩展至此粘结层上，使栅外周边有“钯层-粘结层-绝缘层”的牢固粘结结构，避免了钯层从栅区脱落，提高了器件的可靠性。

主权项

1、一种钯栅MOS器件的结构，其特征在于，在器件的漏、源两区金属电极与栅区之间的绝缘层上粘附一种与绝缘层和钯层均能牢固粘着的粘结层，并使金属栅钯层的边缘扩展至此粘结层上，在栅外边缘形成钯层一粘结层一绝缘层的牢固粘结结构。