| 发明名称 |
Dry etching method and method for prevention of low temperature post etch deposit |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2246101(B) |
申请公布日期 |
1994.03.23 |
| 申请号 |
GB19910014897 |
申请日期 |
1991.07.10 |
| 申请人 |
* MICRON TECHNOLOGY INC |
发明人 |
DAVID A * CATHEY JR;HARLAN * FRANKAMP |
| 分类号 |
C23F4/00;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/311;(IPC1-7):H01L21/311 |
主分类号 |
C23F4/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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