| 摘要 |
Deux transistors bipolaires (T1 et T2) ayant des successions de régions complémentaires sont interconnectés de sorte que le collecteur du transistor pnp (T1) soit connecté à la base du transistor npn (T2), alors que le collecteur du transistor npn est connecté à la base du transistor pnp. Une diode (SD) qui évite en même temps la saturation des deux transistors à l'état interconnecté est de préférence une diode de Schottky. Ce montage est particulièrement utile pour commuter rapidement des courants et des tensions électriques, notamment dans des charges capacitives ou ohmiques, ou pour inverser rapidement la charge de capacités. Plusieurs variantes qui assurent une bonne manoeuvrabilité du circuit, ainsi que des structures composées telles que circuits en pont ou en demi-pont pour commutateurs bipolaires, sont développées à partir du circuit de base. |
