Verfahren zum Herstellen von Strukturen, einschliesslich nichtflüchtiger Speicherzellen vom EEPROM-Typ, mit selbstausrichtenden Siliziumschichten und dazugehörige Transistoren.
摘要
申请公布号
DE3787421(T2)
申请公布日期
1994.03.17
申请号
DE19873787421T
申请日期
1987.06.24
申请人
SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L., AGRATE BRIANZA, MAILAND/MILANO, IT
