发明名称 包括多重误差检验与校正电路的半导体存储器
摘要 半导体存储器,包括:分成许多副单元组的存储单元组,各副单元组既有正常存储单元又有奇偶校验单元;许多读出放大器组,各接到副单元组中的各单元,用于对来自副单元组的单元数据执行读出操作;许多误差检验与校正电路,各接到各读出放大器组,以修正单元数据中的出错位;以及,各连接到误差检验与校正电路的输出译码器;当该存储器在正常方式下工作,就选择副单元组之一,当其按页式工作时,则选择全部副单元组。
申请公布号 CN1083962A 申请公布日期 1994.03.16
申请号 CN93109191.8 申请日期 1993.07.30
申请人 三星电子株式会社 发明人 赵星熙;李炯坤
分类号 G11C11/34;H01L27/04 主分类号 G11C11/34
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 吴增勇;马铁良
主权项 1、半导体存储器件,包括:分成许多副单元阵列的存储单元阵列,每个所述副单元阵列既有正常存储单元又有奇偶校验单元;许多读出放大器组,每个都接到所述许多副单元阵列中的各个阵列,用于执行来自所述副单元阵列的单元数据的读出操作;许多误差检验与校正电路,每个都连接到各所述读出放大器组,用于修正在所述单元数据内的出错比特;及输出译码器,各接到所述误差检验与校正电路的各个输出端;其中当所述半导体存储器件必须按正常方式工作时,就选择其中一个所述副单元阵列,当所述半导体存储器件必须按页面方式工作时,选择所有所述副单元阵列。
地址 韩国京畿道