首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Photodiode-FET combination with an enhanced layer structure.
摘要
申请公布号 EP0371380(B1) 申请公布日期 1994.03.16
申请号 EP19890121535 申请日期 1989.11.21
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 LAUTERBACH, CHRISTL;ALBRECHT, HELMUT, DR. ING.
分类号 H01L27/144;H01L31/105;(IPC1-7):H01L31/105 主分类号 H01L27/144
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com