发明名称 Verfahren zur Bildung einer metallischen Verdrahtungsschicht und Füllen einer Kontaktöffnung in einem Halbleiterbauelement
摘要
申请公布号 DE4028776(C2) 申请公布日期 1994.03.10
申请号 DE19904028776 申请日期 1990.09.11
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., SUWON, KR 发明人 PARK, CHANG-SOO, SEOUL/SOUL, KR
分类号 H01L21/3205;C23C14/04;C23C14/16;C23C14/58;H01L21/321;H01L21/768;H01L23/485;H01L23/522;H01L23/532;(IPC1-7):H01L21/285;H01L21/90;C23C14/34 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人
主权项
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