发明名称 | 半导体台面器件钝化方法 | ||
摘要 | 一种半导体台面器件钝化方法,它将腐蚀好的台面器件冲洗好后,立即放入预先配置好的HF,HNo3,HAc,H2O溶液内,使其先生成一层染色膜,然后去掉保护胶后进行稳定处理,接着放到淀积炉内再淀积一层氮化硅,最后再涂敷一层硅漆,这样在台面上形成染色膜-Si3N4-有机硅漆的多层保护层。经本工艺钝化的半导体台面器件具有良好的稳定性和可靠性,特别是在高温环境下工作的器件,其高温性能有了显著的提高。 | ||
申请公布号 | CN1023953C | 申请公布日期 | 1994.03.09 |
申请号 | CN90106103.4 | 申请日期 | 1990.12.19 |
申请人 | 上海汽车电器总厂 | 发明人 | 周春英;吕亦梅;汪秀娟 |
分类号 | H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/31 |
代理机构 | 上海市机电工业管理局专利事务所 | 代理人 | 夏永兴 |
主权项 | 1.一种半导体台面器件,它是在半导体器件的台面表面生长一层由氮化物组成的钝化膜,其特征是台面表面形成钝化膜为染色膜-Si3N4-有机硅漆的多层保护层。 | ||
地址 | 200082上海市杨浦区惠民路591号 |