发明名称 SILICON-GaAs EPITAXIAL COMPOSITIONS AND PROCESS FOR MAKING THE SAME
摘要
申请公布号 KR940001249(B1) 申请公布日期 1994.02.18
申请号 KR19850070404 申请日期 1985.12.26
申请人 ADVANCED ENERGY FUND LTD. 发明人 VERNON, STANLEY M.
分类号 H01L21/205;H01L27/14;H01L29/267;H01L31/0304;H01L31/18;(IPC1-7):H01L21/205 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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