首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 DRAM-Zelle, die auf einer Isolierschicht gebildet ist und die eine begrabene Halbleiter-Säulenstruktur aufweist und ein Herstellungsverfahren dafür.
摘要
申请公布号 DE3886899(D1) 申请公布日期 1994.02.17
申请号 DE19883886899 申请日期 1988.10.19
申请人 FUJITSU LTD., KAWASAKI, KANAGAWA, JP 发明人 GOTOU, HIROSHI, NIIZA-SHI SAITAMA 352, JP
分类号 H01L27/10;H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/12;(IPC1-7):H01L27/10;H01L21/82 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com