发明名称 铌酸锂晶体(LN)室温腐蚀剂及其用途
摘要 一种在室温下能快速腐蚀铌酸锂晶体的腐蚀剂,采用40%浓度HF和98%H2SO4配制其配比视所要达到的腐蚀速度而定。以体积比配制混合物时,HF的范围为35-80%。本发明特点是在室温(25℃)时,可以快速,简便地对整只LN晶体进行腐蚀,区分正负畴及判断晶体的极化情况。不但对抛光晶体,而且对细磨晶体也能通过腐蚀显示清晰的正负畴图形,可节约抛光大晶体所需的时间和磨料费用。且对极化不完善晶体可采取补救措施。腐蚀液配制方便,且可反复使用。
申请公布号 CN1023654C 申请公布日期 1994.02.02
申请号 CN90102978.5 申请日期 1990.11.05
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明人 张雁行;华王祥;谭浩然
分类号 C30B33/10;C30B29/30 主分类号 C30B33/10
代理机构 中国科学院上海专利事务所 代理人 聂淑仪
主权项 1.一种铌酸锂晶体腐蚀剂,其特征在于它由氢氟酸及硫酸构成,其中所用HF浓度为40%,占腐蚀剂体积的35-80%,H2SO4浓度为98%,占65-20%的体积。
地址 200050上海市长宁区长宁路865号