发明名称 | 铌酸锂晶体(LN)室温腐蚀剂及其用途 | ||
摘要 | 一种在室温下能快速腐蚀铌酸锂晶体的腐蚀剂,采用40%浓度HF和98%H2SO4配制其配比视所要达到的腐蚀速度而定。以体积比配制混合物时,HF的范围为35-80%。本发明特点是在室温(25℃)时,可以快速,简便地对整只LN晶体进行腐蚀,区分正负畴及判断晶体的极化情况。不但对抛光晶体,而且对细磨晶体也能通过腐蚀显示清晰的正负畴图形,可节约抛光大晶体所需的时间和磨料费用。且对极化不完善晶体可采取补救措施。腐蚀液配制方便,且可反复使用。 | ||
申请公布号 | CN1023654C | 申请公布日期 | 1994.02.02 |
申请号 | CN90102978.5 | 申请日期 | 1990.11.05 |
申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 张雁行;华王祥;谭浩然 |
分类号 | C30B33/10;C30B29/30 | 主分类号 | C30B33/10 |
代理机构 | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人 | 聂淑仪 |
主权项 | 1.一种铌酸锂晶体腐蚀剂,其特征在于它由氢氟酸及硫酸构成,其中所用HF浓度为40%,占腐蚀剂体积的35-80%,H2SO4浓度为98%,占65-20%的体积。 | ||
地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 |