静态感应装置

摘要

一种静态感应装置(SI装置)至少包括一个SI晶闸管结构，一个IGT和一个电容器，它们均合装在一单个单片上。该SI晶闸管具有一个阴极，一个阳极和一个栅区，一个沟道。该IGT具有一个位于沟道表面的阱，一个源极和一个漏极位于阱内，一个栅极绝缘膜形成在阱上，并且一个栅电极位于栅绝缘膜上。电容器包括SI晶闸管的栅区，位于此栅区的栅绝缘膜和栅极。该阴极和漏区通过一高导电极相互连接。

主权项

1、一种静态感应装置包括：一个静态感应晶闸管具有至少一个高杂质浓度的第一导电式阴极区，一个阳极区和一对高杂质浓度的第二导电式栅极区，以及具有低杂质浓度的第一导电式沟道；一个IGT至少具有一个第一导电式的阱，形成在所述沟道的一部分表面上，所述阱的杂质浓度高于所述沟道，一个第二导电式漏极区具有高杂质浓度，所述漏极区形成在所述阱内，一个源极区是与所述栅极区或一个高杂质浓度的第二导电式区之一相同的区，它与所述栅极区电气相连，一个栅极绝缘膜形成在所述阱上，并且一个栅电极形成在所述栅绝缘膜上，以及一个电容器包括所述栅区，所述形成在该栅区上的栅绝缘膜，和所述栅电极；其中所述静态感应晶闸管，所述IGT和所述电容器合并装到单个单片上；其中所述阴极和漏极区至少通过一个阴极相互连接的结构，和其中控制电压作用到所述栅电极上，以控制在所述阴极和阳极区之间流动的主电流的传导和阻断。