| 主权项 |
1﹒一种具有压缩率不低于98%及金属杂质含 量低于50ppm之密封半导体之树脂片剂, 其系藉冷却并固化熔融树脂组成物而被获 得者。 2﹒如申请专利范围第1项树脂片剂,其中黏 附至该片剂之具有250筛孔或以下之细粉 之量基于片剂为低于0﹒95重量%者。 3﹒如申请专利范围第1项树脂片剂,其中该 片剂具有水含量低于0﹒1重量%者。 4﹒如申请专利范围第1项树脂片剂,其中该 片剂具有外径不超过20mm及长度对外径比 为不低于1者。 5﹒如申请专利范围第1项树脂片剂,其中该 片剂具有外径为不低于30mm及长度对外径 比为不超过1者。 6﹒如申请专利范围第1项树脂片剂,其中该 片剂系由多个由黏着或熔合所层合,各具 有外径不低于20mm及长度对外径比为不超 过1之片剂所组成者。 7﹒如申请专利范围第1项树脂片剂,其中该 片剂为一具有外径为不低于20mm及内径为 不超过20mm之中空片剂者。 8﹒如申请专利范围第1项树脂片剂,其中该 片剂为一具有外径为不低于20mm及内径为 不超过20mm之中空片剂,其中空处包含一 黏着或熔合之固体物者。 9﹒如申请专利范围第1项树脂片剂,其中该 树脂组成物为环氧树脂组成物者。 10﹒一种半导体密封用之片剂之制法,该片 剂具有压缩率为不低于98%及金属杂质含 量为低于50ppm,其包含将熔融状态之树 脂组成物馈入一压片模及加压模制树脂组 成物者。 11﹒一种半导体密封用之片剂之制法,该片 剂具有压缩率为不低于98%及金属杂质含 量为低于50ppm,其包含在捏练挤制机内 熔融树脂组成物,将熔融树脂组成物藉该 捏练挤制机之挤压力馈入压片模内及加压 模制树脂组成物者。 12﹒如申请专利范围第10项制法,其中熔融 树脂组成物系利用防震器在恒定进给压力 下被馈入者。 13﹒如申请专利范围第11项制法,其中熔隔 树脂组成物系利用防震器在恒定进给压力 下被馈入者。 14﹒如申请专利范围第10项制法,其中该加 压模制系在冷却时实施者。 15﹒如申请专利范围第11项制法,其中该加 压模制系在冷却时实施者。 16﹒如申请专利范围第10项制法,其中该树 脂组成物为环式树脂组成物者。 17﹒如申请专利范围第11项制法,其中该树 脂组成物为环氧树脂组成物者。 18﹒一种半导体装置之制法,其包含用一具 有压缩率为不低于98%及金属杂质含量为 低于50ppm之树脂片剂(其藉转移模制冷 却并固化熔融树脂组成物所得)密封半导 体晶片者。图示简单说明: 第1-4图各例示用来制造依照本发 明之树脂片剂之装置之例。 |
