发明名称 Verfahren zur Herstellung einer invertierten Halbleiteranordnung vom Typ silicon-on-insulator mit einer Podeststruktur.
摘要
申请公布号 DE3886291(D1) 申请公布日期 1994.01.27
申请号 DE19883886291 申请日期 1988.06.16
申请人 MOTOROLA, INC., SCHAUMBURG, ILL., US 发明人 KOURY, DANIEL N., JR., ITHICA NEW YORK 14850, US
分类号 H01L21/20;H01L21/02;H01L21/331;H01L21/336;H01L21/762;H01L21/84;H01L27/12;H01L29/73;H01L29/732;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/84 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利