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发明名称 Verfahren zum Herstellen eines komplementären BICMOS-Transistors mit isoliertem vertikalem PNP-Transistor.
摘要
申请公布号 DE68911321(D1) 申请公布日期 1994.01.27
申请号 DE19896011321 申请日期 1989.01.04
申请人 EXAR CORP., SAN JOSE, CALIF., US 发明人 RATNAKUMAR, KOLA NIRMAL, SAN JOSE, CALIFORNIA, US
分类号 H01L29/73;H01L21/265;H01L21/331;H01L21/8228;H01L21/8249;H01L27/06;H01L29/732;(IPC1-7):H01L21/82 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
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