发明名称 用于半导体存储器的传感放大器驱动电路
摘要 通过导通或截止外部电压端与接地端之间的驱动晶体管来控制高密度半导体存储器的传感放大器的传感放大器驱动电路,它包括连接到驱动晶体管栅极的偏置电路,以控制其栅压,降低传感放大器驱动信号的峰值电流。而且,以具有双线性斜率的波形产生驱动信号,使噪声功率下降。该偏置电路连接到箝位电路实现对所述驱动电路有效恢复电压的箝位。所述驱动电路还包括含有两个以上顺序启动镜象电流电路的恒定电流电路使传感放大器驱动信号具有稳定双线性斜率。
申请公布号 CN1023623C 申请公布日期 1994.01.26
申请号 CN91103355.6 申请日期 1991.05.20
申请人 三星电子株式会社 发明人 闵东暄;黄泓善;赵秀仁;陈大济
分类号 G11C11/40;G11C7/06 主分类号 G11C11/40
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 吕晓章;匡少波
主权项 1.一种用于驱动多个传感放大器的传感放大器驱动电路,所述每个传感放大器由两个P-MOS晶体管和两个N-MOS晶体管组成,该传感放大器驱动电路包括:一个用于通过其输入端接收有效恢复启动信号Φap并产生一个有效恢复驱动信号ΦLAp的有效恢复驱动电路,所述有效恢复驱动电路连接在所述传感放大器和电源端VCC之间,一个用于通过其输入端接收传感启动信号ΦSN并产生一个传感驱动信号ΦLAN的传感驱动电路,所述传感驱动电路连接在传感放大器和接地端VSS之间,其特征在于:所述有效恢复驱动电路包括:一个含有一个或多个驱动P-MOS晶体管和另一个用于调节驱动晶体管电流量的P-MOS晶体管的镜象电流电路,一个根据有效恢复启动信号ΦSP控制镜象电流电路的操作的反相电路,所述反相电路包括一个P-MOS晶体管和一个N-MOS晶体管,一个N-MOS晶体管,它作为所述镜象电流电路的恒定电流源并通过其栅极接收偏置电压Vbias,其漏极连接到反相电路N-MOS晶体管的源极,源极连接到接地端VSS,由此控制有效恢复驱动信号ΦLAP的电位使得信号ΦLAP的波形具有线性上升的斜率,所述传感电路包括:包含一个或多个驱动N-MOS晶体管和另一用于调节驱动晶体管的电流量的N-MOS晶体管的镜象电流电路,一个含有-N-MOS晶体管和一P-MOS晶体管、按照传感启动信号ΦSN控制镜象电流电路工作的反相电路,以及一个作为所述镜象电流电路的恒定电流源并通过其栅极接收偏置电压Vbias、其源极连接到所述所相电路P-MOS晶体管的漏极、漏极连接到外部电源端VCC的P-MOS晶体管,由此控制传感驱动信号ΦLAN的电位使得信号ΦLAN的波形具有线性下降的斜率。
地址 韩国京畿道水原市