| 主权项 |
1﹒一种磁头总成,包括一悬臂支持构件,构件之一第一部份即用以供此构件之安装,一磁性转换器固定于该距该第一部份为远之此支持构件之第二部份之边缘,该支持构件自该第一部份伸展至该第二部份之至少一部份系电伸缩性者,支持构件之此电伸缩部份上之导电层与加于此层上之驱动信号相响应,而致使此构件挠曲;﹒此总成之特点为该等导电层(23',24'或23",24")自该第一部份(20'a20"a)起始,覆盖于该电伸缩部份(21,22'或21",22")经一段长度(l),此段长度(l)为该支持构件(20'或20")跨过该第一与第二部份(20'a,2O'b或20"a,20"b)之长度L之一部份。2﹒根据上述请求专利部份第1项所述之一种磁头总成,其中该(l/L)比値在约40/100至85/100之间。3﹒根据上述请求专利部份第1及2项中任一项所述之磁头总成;其中支持构件(20')之该电伸缩部份(21',22"),实质上与支持构件(20')跨过该第一与第二部份之长度L等长,而该等导电层(23',24')覆盖之面积实质上小于支持构件之电伸缩部份(21',22')之全部表面积。4﹒根据上述请求专利部份第1及2项中任一项所述之磁头总成;其中该等导电层(23",24")实质上与支持构件(20")之电伸缩部份(21",22")之表面等长,该电伸缩部份自该第一部份(20"a)仅伸展至该距离(l),此(l)为该为该支持构件(20")跨过该第一与第二部份之长度(L)之一部份。5﹒根据上述请求专利部份第4项所述之一种磁头总成;其中该支持构件(20")亦包括自该电伸缩部份(21",22")伸展至该第二部份边缘之一非有效部份(25"),该磁转换器(11")直接装于该非有效部份(25")之上。6﹒根据上述请求专利部份中任一项所述之一种磁头总成,其中支持构件之该电伸缩部份系由双形态叶片元件构成。7﹒根据上述请求专利部份第6项所述之一种磁头总成;其中该双形态叶片元件包括一中央叶片构件(25',25")及二压电陶瓷构件(21',22',或21",22"),陶瓷构件系位于该等导电层之间而与该叶片构件之相反二表面相结合。8﹒根据上述请求专利部份第3及7项所述之一种磁头总成,其中该叶片构件(25')及该等压电陶瓷构件(21',22"),实质上与该支持构件跨过该第一及与二部份之长度L等长,该等导电层(23',24')覆盖之面积实质上小于该等压电陶瓷构件之总面积。9﹒根据上述请求专利部份第8项所述之一种磁头总成,其中该压磁头转换器(11')系于该第二部份(20'b)之边缘之该等压电陶瓷构件(21')之表面部份,而与陶瓷构件之一直接结合,此边缘部份系未被该等导电层(23',24')遮盖者。10﹒根据上述请求专利部份第4及7项所述之一种磁头总成;其中该等电压陶瓷构件(21",22")及该等导电层(23",24")实质上等长,并自该第一部份(20"a)仅伸长至该距离(l),此(l)为该支持构件(20")跨过该第一与第二部份之长度L之一部份,该叶片构件(25")伸出于该压电陶瓷构件(21",22")之外而至该第二部份(20"b)之边缘处,磁转换器(11")即装于此边缘部份上。11﹒根据上述请求专利部份第10所述之一种磁头总成,其中伸出于压电陶瓷构件(21",22")之外之该叶片构件25",系包括于该支持构件之非有效部份之内,该叶片之上另外有二层(30,31),此二层之材料之重量较之电压陶瓷构件(21",22")为轻,12﹒根据上述请求专利部份中任一项所述之一种磁头总成,其中支持构件(20';20")之第一部份(20'a;20"a)系固定于一安装结构(12)上,此结构系就一录制介质(16),沿此介质之狭长轨道(T),以大致为A之方向移动,支持构件(20';20")使该转换器(11';11")与录制介质(16)成能量转换关系,并随安装结构(12)沿轨迹(T)而移动;此外其中电伸缩部份(21',22';21",22")之该项挠曲,使转换器(11',11")就轨道(T)"以方向(C)作横向移动。13﹒根据上述请求专利部份第12项所述之一种磁头总成,其中该录制介质为磁带(16),狭长轨道(T)斜向伸展于带上,轨道(T)之前后均有相同之轨道,且与其平行,该安装结构有旋转导引鼓部份(12),带(16)于前进之同时,至少绕鼓之周边之一部份以螺旋方式伸展。 |
