| 摘要 |
<p>Des photoémetteurs sont utilisés pour convertir les photons de lumière reçus (ou d'autres rayonnements électromagnétiques) en électrons. Il est courant d'utiliser un multiplicateur d'électrons pour amplifier le faible flux d'électrons destiné à être utilisé par un système d'imagerie ou de comptage. Au cours des dernières années, on a manifesté un grand intérêt pour les dispositifs photoémetteurs à semi-conducteurs et de multiplication d'électrons à base de mélanges d'éléments de groupe III et V tels que gallium et arsenic ou phosphore, mais ces derniers ne sont pas faciles à utiliser dans un tube photoélectrique. En mode transmittif, ces matériaux de groupe III-V présentent une sensibilité élevée aux infrarouges mais une sensibilité plus faible au bleu et aux ultraviolets. On a découvert récemment que les matériaux de groupe III-IV étaient plus sensibles au bleu en mode réflectif. De plus, ils sont efficaces en tant que multiplicateurs d'électrons, dans ce mode, le problème étant d'obtenir un dispositif fonctionnant dans ce mode réflectif avec de bonnes capacités d'imagerie (les électrons éjectés s'éparpillent). Il est possible de résoudre ce problème grâce à une structure photoémettrice de groupe III-V dans laquelle le dispositif lui-même fonctionne en mode transmittif retenant les images bien que le matériau photoémetteur fonctionne en mode réflectif sensible au bleu. Plus précisément, dans les photoémetteurs selon l'invention la couche photoémettrice de groupe III-V (11) se présente sous la forme d'un groupement d'éléments de groupe III-V espacés (13) dont les faces sont angulaires et orientées vers les interstices entre les éléments. Les électrons (e1) éjectés de la face des éléments (par l'impact avec les photons ou les électrons) sont, sous l'influence d'un champ électrique approprié (E), balayés latéralement vers et à travers les interstices entre les éléments, de façon que le dispositif lui-même fonctionne en mode transmittif et présente de bonnes propriétés d'imagerie bien que le matériau de groupe III-V agisse en mode réflectif et présente une bonne sensibilité au bleu. Pour former un dispositif photomultiplicateur/ou à photocathode on peut empiler une pluralité de ces couches de groupe III-V individuelles les unes sur les autres, les éléments de chaque couche étant alignés avec les interstices de la couche précédente, de façon que les électrons de chaque couche éjectés à travers les interstices viennent percuter la couche immédiatement adjacente sans perdre leur résolution spatiale définissant l'image.</p> |
