发明名称 VAPOR PHASE EPITAXY METHOD FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR MIXED CRYSTAL
摘要
申请公布号 JPH0613323(A) 申请公布日期 1994.01.21
申请号 JP19920167707 申请日期 1992.06.25
申请人 JAPAN ENERGY CORP 发明人 SEKI YOJI
分类号 C30B25/02;B65B15/04;C30B29/40;C30B33/08;H01L21/205;(IPC1-7):H01L21/205 主分类号 C30B25/02
代理机构 代理人
主权项
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