摘要 |
<p>Um fehlerfreie, höchstens für Ionen vorgegebener Gattung selektiv durchleitende Metalloxidschichten abzulegen, wird vorgeschlagen, Metall in einer mit Hochvakuum evakuierten Vakuumkammer freizusetzen, dabei die kinetische Energie der freigesetzten Metallpartikel zu beschränken, den Oxidationsgrad durch Wahl in die Kammer eingelassener Sauerstoffmenge im Verhältnis zur freigesetzten Metallmenge anzuwählen und dabei die Temperatur der Unterlage, worauf die Schicht abgesetzt wird, unter 900°C zu halten.</p> |