| 发明名称 |
Improved synapse cell employing dual gate transistor structure |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2236881(B) |
申请公布日期 |
1994.01.12 |
| 申请号 |
GB19900011972 |
申请日期 |
1990.05.29 |
| 申请人 |
* INTEL CORPORATION;* INTEL CORPORATION |
发明人 |
SIMON M * TAM;MARK A * HOLLER;HERNAN A. * CASTRO |
| 分类号 |
G06G7/60;G06F15/18;G06N3/02;G06N3/063;G06N99/00;G11C15/04;G11C16/04;H01L27/115;(IPC1-7):G11C11/34 |
主分类号 |
G06G7/60 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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