| 摘要 |
<p>Mit dem erfindungsgemässen Verfahren können Kondensatoren für Speicherzellen mit einem oberhalb des Transistors angeordneten Kondensator hergestellt werden. Aufgrund eines schüsselförmigen oder kannförmigen Querschnittes erreicht der Kondensator eine höhe Kapazität. Das Verfahren zeichnet sich insbesondere durch hohe Prozesssicherheit aus. Zur selbstjustierenden Ätzung des Speicherkondensatorkontaktes wird eine Schicht aus Polysilizium (31) als Ätzstop verwendet. Die freigelegten Seitenwände werden oxidiert (31') oder durch 'side-spacer' (39) abgedeckt.</p> |
