发明名称 等离子体汽相沉积设备
摘要 本发明提供一种等离子体汽相沉积设备及其串联式设备。为了能够以高生产率制备(比如说)高质量的ITO薄膜,该设备包括一个驱动机构和一个连接于其上的水平旋转的圆形保持板以及一个具有线圈状电极高频激发装置,该圆形保持板具有一个设置在其表面上并与其旋转轴同心的汽相源物质安装区。
申请公布号 CN1080332A 申请公布日期 1994.01.05
申请号 CN93105935.6 申请日期 1993.05.20
申请人 村山洋一;株式会社辛克龙;伊藤忠精密化学制品株式会社 发明人 村山洋一;成田俊雄
分类号 C23C14/32 主分类号 C23C14/32
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人 马江立
主权项 1、一种真空等离子体汽相沉积设备,包括一个汽相源供应装置、一个高频激发装置和一个安置在这些装置上方的衬底固定装置,其特征是,所述汽相源供应装置有一个驱动机构和一个与其连接并水平旋转的圆形保持板,该圆形保持板有一个旋转轴和一个设在保持板表面上的同心的汽相源物质载带区,而所述高频激发装置装有线圈状电极。
地址 日本东京