| 发明名称 |
Monolithic millimetre-wave integrated circuit and method of its fabrication. |
| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Anordnung für einen integrierten Millimeterwellenschaltkreis, bei dem eine Schottkydiode und ein HFET quasi-planar aus einer Halbleiterschichtenfolge hergestellt wird. Durch die quasi-planare Anordnung vereinfacht sich der Herstellungsprozeß, da insbesondere die Kontaktbereiche von Schottkydiode und HFET gleichzeitig erzeugt werden. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP0575789(A1) |
申请公布日期 |
1993.12.29 |
| 申请号 |
EP19930108910 |
申请日期 |
1993.06.03 |
| 申请人 |
DAIMLER-BENZ AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
BRUGGER, HANS, DR. RER. NAT. |
| 分类号 |
H01L21/331;H01L21/8232;H01L21/8252;H01L27/06;H01L27/095;H01L29/73;(IPC1-7):H01L27/06;H01L21/82 |
主分类号 |
H01L21/331 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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