Device for plasma or reactive ion etching, and process for etching thermally poorly conducting substrates.,申请号EP19880117372-传众专利搜索

发明名称	Device for plasma or reactive ion etching, and process for etching thermally poorly conducting substrates.
摘要
申请公布号	EP0364619(B1)	申请公布日期	1993.12.29
申请号	EP19880117372	申请日期	1988.10.19
申请人	IBM DEUTSCHLAND GMBH;INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION	发明人	BAYER, THOMAS;BARTHA, JOHANN, DR.;GRESCHNER, JOHANN, DR.;KERN, DIETER;MATTERN, VOLKER;STOEHR, ROLAND
分类号	C08J7/00;C23F4/00;H01L21/00;H01L21/302;H01L21/3065;(IPC1-7):H01J37/20	主分类号	C08J7/00
代理机构		代理人
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