| 发明名称 | 铟镓砷光电探测器 | ||
| 摘要 | 铟镓砷光电探测器，属于微电子学光电子技术领域。本发明是由衬底、缓冲层、吸收层、P型掺杂In0.53Ga0.47As增强层、金属电极组成。具有结构新颖、工艺简单、稳定可靠、势垒增强效果好，长波长(1.3～1.55微米)响应，高速，低暗电流，特别是便于与场效应管(FEI)同片集成的优点，是一种广泛应用于光纤通讯领域中的较为理想的光电探测器。 | ||
| 申请公布号 | CN1023360C | 申请公布日期 | 1993.12.29 |
| 申请号 | CN92108309.2 | 申请日期 | 1992.01.21 |
| 申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 史常忻;王庆康;李志奇 |
| 分类号 | H01L31/0304;H01L31/108;H01L27/14 | 主分类号 | H01L31/0304 |
| 代理机构 | 上海交通大学专利事务所 | 代理人 | 匡宗德 |
| 主权项 | 1、一种铟镓砷光电探测器，它由半绝缘InP单晶衬底(1)、非掺杂的InP缓冲层(2)、n型In0.53Ga0.47As本征光吸收层(3)、增强层(4)以及金属电极5组成，本发明的特征在于所说的增强层(4)是位于所说的吸收层(3)和金属电极(5)之间的P型掺杂In0.53Ga0.47As层。 | ||
| 地址 | 200030上海市华山路1954号 | ||