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<P>La présente invention concerne un procédé de réalisation d'un transistor, en particulier un transistor bipolaire à hétérojonction, du type comprenant les étapes connues consistant à réaliser des couches (120, 130, 140, 150) formant collecteur, base et émetteur, ainsi que des contacts ohmiques (220, 230, 240) de collecteur, de base et d'émetteur, caractérisé par le fait que l'étape de réalisation de l'émetteur consiste à déposer deux couches superposées composant l'émetteur, sur la couche de base (130): une première couche fine (140) formée d'un premier matériau à grand intervalle de bande interdite et une deuxième couche (150) formée d'un deuxième matériau possèdant également un intervalle de bande interdite élevé, et également caractérisé par le fait que le contact ohmique de base (240) est déposé sur la première couche (140) composant l'émetteur. L'invention concerne également les transistors obtenus.</P>
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