| 发明名称 |
VAPOR PHASE EPITAXY OF SEMICONDUCTOR CRYSTAL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH05343332(A) |
申请公布日期 |
1993.12.24 |
| 申请号 |
JP19920145575 |
申请日期 |
1992.06.05 |
| 申请人 |
FUJITSU LTD |
发明人 |
NISHINO HIROSHI;SAITO TETSUO;MURAKAMI SATOSHI;OKAMOTO TORU |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/205;H01L31/0264;(IPC1-7):H01L21/205;H01L31/026 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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