Dispositif d'EPROM à couche unique de silicium polycristallin à effacement rapide.

摘要

L'invention concerne un dispositif de mémoire programmable et effaçable électriquement (10) à grille flottante (18b) formé sur un substrat semi-conducteur (12) d'un premier type de conductivité. Il comprend: une première région (16) et une deuxième région (17) d'un deuxième type de conductivité; une région de canal (20) entre ces deux régions; un diélectrique (19) de grille disposé au-dessus de la dite région de canal (20); une grille (18b) disposée au-dessus dudit diélectrique (19) de grille; et un premier condensateur (15) comprenant un puits dopé (21) dudit deuxième type de conductivité et une plaque (18a) couplée de manière capacitive à celui-ci, ladite plaque (18a) étant couplée électriquement (18c) à ladite grille (18b); ledit dispositif de mémoire (10) étant programmé par un procédé comprenant une application d'un potentiel audit puits (21) et d'un deuxième potentiel à ladite deuxième région (17), et ledit dispositif (10) étant effacé par un procédé comprenant l'application d'un troisième potentiel à ladite première région (16). Elle comprend aussi des variantes de modes d'effacement et spécifie des programmations de réseaux de tels dispositifs.