| 摘要 |
Un transistor de puissance MOS à effet de champ et au carbure de silicium comprend une première couche de carbure de silicium épitaxialement formée sur le substrat de carbure de silicium du type de conductivité opposé. Une deuxième couche de carbure de silicium présentant le même type de conductivité que le substrat est constituée sur la première couche de carbure de silicium. Un transistor de puissance à effet de champ est consitué dans la région dispositif du substrat, ainsi que dans les première et deuxième couches de carbure de silicium placées au-dessus. Au moins une tranchée de terminaison est constituée dans la région terminale du substrat de carbure de silicium et s'étend à travers les première et deuxième couches de carbure de silicium placées au-dessus. La tranchée de terminaison définit une ou plusieurs mesas isolées dans la région terminale qui agissent en tant qu'anneaux de champ flottants. Les tranchées de terminaison sont, de préférence, recouvertes par un isolant et remplies de matériau conducteur, de façon à constituer des plaques de champ flottantes. La tranchée située le plus à l'extérieur peut être une tranchée profonde s'étendant à travers les première et deuxième couches de carbure de silicium et à travers la région de dérive du substrat de carbure de silicium. Etant donné que la région terminale est consituée à partir des première et deuxième couches de carbure de silicium dans ladite région, une diffusion longue, à température élevée, n'est pas nécessaire pour constituer un anneau de champ flottant. De préférence, les mêmes première et deuxième couches épitaxiales de carbure de silicium qu'on utilise pour constituer un transistor à effet de champ dans la région du dispositif peuvent également s'utiliser pour constituer l'anneau de champ flottant dans la région terminale. |
