| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING CVD REACTOR CLEANING METHOD AND APPARATUS |
| 摘要 |
Un appareil de traitement de tranches à semi-conducteur, notamment un réacteur CVD (10), est pourvu d'électrodes d'épuration (80, 90) du plasma intégrées dans le processus d'écoulement gazeux formant une structure qui dirige par nivellement, sur le suscepteur (40), le gaz qui passe devant la tranche (44). L'appareil de traitement possède de préférence une pomme d'arrosage (35) ou autre admission pour diriger un mélange gazeux sur une tranche (44) et une pluralité de chicanes (90, 101, 102) pour réduire la turbulence. Les électrodes d'épuration du plasma (89, 90) sont incorporées dans les chicanes ou la pomme d'arrosage, ou les deux, dont une ou plusieurs possèdent de préférence des orifices d'évacuation (83, 94) pour l'épuration du gaz, qui sont répartis de préférence uniformément autour de l'axe du suscepteur pour produire un écoulement uniforme du gaz d'épuration. |
| 申请公布号 |
WO9325724(A1) |
申请公布日期 |
1993.12.23 |
| 申请号 |
WO1993US05616 |
申请日期 |
1993.06.11 |
| 申请人 |
MATERIALS RESEARCH CORPORATION |
发明人 |
FOSTER, ROBERT, F.;REBENNE, HELEN, E.;LEBLANC, RENE, E.;WHITE, CARL, L.;ARORA, RIKHIT |
| 分类号 |
C23C16/14;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/48;C23C16/54;H01J37/32;H01L21/00;H01L21/205;H01L21/31;H01L21/683;(IPC1-7):C23C16/14;H01L21/285 |
主分类号 |
C23C16/14 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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