Method of depositing a planar layer containing aluminium on a substrate with a hole structure in its surface.

摘要

Eine planare Al-haltige Schicht (4) wird auf einem Substrat (1) mit Lochstrukturen (2) an der Oberfläche in einem Sputterverfahren abgeschieden, wobei das Substrat (1) auf erhöhter Temperatur gehalten wird und wobei das Sputterverfahren im Vakuum durchgeführt wird. Das Verfahren ist insbesondere geeignet zur Herstellung von Kontakten für Kondensatoren, die in einem Siliziumsubstrat realisiert sind, dessen Oberfläche durch anodisches elektrochemisches Ätzen in einem fluoridhaltigen, sauren Elektrolyten vergrößert ist und auf dessen vergrößerter Oberfläche eine dielektrische Schicht und eine dotierte Polysiliziumschicht als Gegenelektrode angeordnet sind. <IMAGE>