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发明名称 Herstellungsverfahren für eine Halbleitereinrichtung
摘要
申请公布号 DE4317925(A1) 申请公布日期 1993.12.16
申请号 DE19934317925 申请日期 1993.05.28
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 HANAWA, TETSURO, ITAMI, HYOGO, JP;BEECK, MARIA OP DE, ITAMI, HYOGO, JP
分类号 G03F7/11;G03F7/004;G03F7/038;G03F7/26;H01L21/027;H01L21/266;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/308;(IPC1-7):H01L21/314;H01L27/108;G03F7/039 主分类号 G03F7/11
代理机构 代理人
主权项
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