| 主权项 |
1﹒一种半导组装置包含:一基体;一层绝缘体,靠近 上述基体之一表面,该 层绝缘体有一配置穿过之窗孔;一外延半导体部位 ,配置在上述窗孔,并 与上述绝缘体之相邻部份形成一界面;以及一密封 在上述外延半导体部位 及绝缘体层之上述界面。 2﹒根据申请专利范围第1项之半导组装置,其中上 述密封包含上述绝缘体层 与外延半导体层间,沿上述界面之结合。 3﹒根据申请专利范围第1项之半导组装置,其中上 述绝缘层包含一氧化物层 。 4﹒根据申请专利范围第3项之半导组装置,其中上 述密封包含一沿上述界面 至少一部份配置之增密氧化物部位。 5﹒根据申请专利范围第4项之半导组装置,其中上 述增密氧化物包含与上述 外延半导体相邻部份结合之热氧化物。 6﹒一种晶体管包含:一层第一电导型之半导体;一 栅极导体,绝缘配置为靠 近上述半导体层之一沟道区;与上述第一导型相反 之第二电导型之外延半 导体之第一及第二源极/漏极部位,形成靠近上述 半导体层之各别第一及 第二源极/漏极区,上述第一及第二源极/漏极部位 横向配置为靠近上述 栅极导体之数部份,上述第一及第二源极/漏极区 由上述沟道区于以间开 ;绝缘体部位,横向配置为靠近上述第一及第二源 极/漏极部位之数部份 ,第一及第二界面,界定于上述绝缘体部位与第一 及第二源极/漏极部位 相邻部份之间;以及配置于上述第一及第二源极/ 漏极部位与相邻绝缘体 部位间之密封,此诸密封密封上述第一及第二界面 。 7﹒根据申请专利范围第6项之晶体管,另包含上述 第二电导型之重熔杂部位 ,植入至上述半导体层之第一及第二源极/漏极部 位。 8﹒根据申请专利范围第6项之晶体管,其中上述绝 缘体层包含一氧化物层。 9﹒根据申请专利范围第7项之晶体管,其中上述密 封包含沿上述界面之至少 数部份配置之增密氧化物部位。 10﹒根据申请专利范围第9项之晶体管,其中上述增 密气化物部位包含沿上 述界面之至少数部份与外延半导体部位结合之热 氧化物部位。 11﹒在一第一电导型半导体层表面形成之电路包 含:一氧化物层,靠近上述 半导体层,上述绝缘体层有贯穿之第一及第二窗孔 ,该二窗孔使半导体 层之越部份露出;一上述第一电导型外延增长半导 体之第一部位配置于 上述第一窗孔,一第一界面界定于上述第一部位与 氧化物层相邻部份之 间;一与上述第一电导型相反之第二电导型外延增 长半导体之第二部位 装配置于上述第二窗孔,一第二界面界定于上述第 一部位与氧化物层相 邻部份之间;在上述与一件延增长半导体部位之表 面形成一第一栅晶体 管包含:一第一栅极导体形成为绝缘靠近上述第一 外延增长半导体部位 之沟道区;上述第二电导型外延半导体之第三及第 四部位,提供高超间 开之源极/漏极部位靠近上述第一外延增长半导体 部位之对应源极/漏 极区,上述第三及第四部位横向配置为靠近第一栅 极导体之数部份,并 且上述对应之源极/漏极区被第一部份之沟道区所 间开;氧化物部位横 向配置为靠近上述第三及第四外延半导体部位,对 应之界面界定于第三 及第四外延半导体部位与氧化物部位之间;以及在 上述第三及第四外延 部位与相邻氧化物部位间之界面之密封;以及一第 二晶体管形成在上述 第二外延增长半导体之表面包含一第二栅极导体 形成为绝缘靠近上述第 二外延增长半导体部位之沟道区;上述第一电导型 外延半导体之第三及 第四部位,提供高超间开之源极/漏极部位靠近上 述第二外延增长半导 体部位之对应源极/漏极区,上述第五及第六部位 横向配置为靠近第二 栅极导组之数部份,并且上述对应之源极/漏极区 被第二部份之沟道区 所间开;氧化物部位横向配置为靠近上述第五及第 六外延半导体部位, 对应之界面界定于第五及第六外延半导体部位与 氧化物部位,间;以及 在上述第五及第六外延部位与相邻氧化物部位间 之界面之密封。 12﹒一种在基体表面制造半导体装置之方法包含 下列步骤靠近上述基体表面 形成一氮化物层;开启一窗孔穿过上述氧化物;在 上述窗孔内外延增长 一半导体部位;以及密封外延增长半导体部位与氧 化物层相邻部份间之 窗孔内之界面。 13﹒根据申请专利范围第12项之方法,其中密封之 步骤包含沿窗孔内外延 增长半导体部位与氧化物层相邻部份间之界面,形 成增密氧化物部位之 步骤。 14﹒根据申请专利范围第12项之方法,其中形成增 密氧化物部位之步骤包 含使界面暴露至蒸汽以形成热氧化物部位之步骤 。 15﹒根据申请专利范围第12项之方法,并另包含靠 近外延增长半导体部位 形成一第二半导体层之步骤。 16﹒根据申请专利范围第12项之方法,其中包含在 上述密封步骤后使外延 增长半导体部位之表面平面化之步骤。 17﹒根据申请专利范围第15项之方法,其中包含在 上述密封及平面化步骤 后,靠近界面形成第二半导体层之步骤。 18﹒一种在基体表面制造晶体管之方法包含下列 步骤:靠近基体表面形成一 第一氧化物层;将第一气化物层作成图案及蚀刻, 以界定一贯穿之窗孔 ;在第一氧化物层之窗孔内外延增长一第一电导型 之半导体部位;以热 气化物密封第一电导型半导体部位与第一氮化物 层之界面间第一窗孔内 之界面使上件之表面平面化;靠近第一电导型外延 增长半导体部位之表 面形成一栅极氧化物层;靠近栅极氧化物层形成一 导电多晶矽层;将多 晶矽层及栅极氧化物作成图案及蚀刻,以界定一绝 缘靠近第一雷导型外 延增长半导体部位沟通区之栅极;靠近工作之表面 形成一第二氧化物层 ;以热氧化物密封多品矽层与第二氧化物层间之横 向界面;使工作之表 面平面化;将第二氧化物层作成图案及蚀刻,以露 出第一电导型外延增 长半导体部位之第一及第二源极/漏极区,第一及 第=源极/漏极区横 向配置为靠近栅极导体,并在第一电导型外延增长 半导体部位之沟道区 下面靠近上述第一及第二源极/漏极区外延形成第 一及第二源极/漏接 部位。 19﹒根据申请专利范围第18项之方法,其中上述密 封之步骤包含在一选择 之温度下使界面暴露至蒸汽,以外延增长半导体沿 界面形成一热氧化物 部位之步骤。 20﹒根据申请专利范围第18项之方法,其中上述平 面化之步骤包含使用机 械─化学平面化技术抛光及研磨之步骤。图示简 单说明 图1a一1c为一半导体工件之大为放大 之概略正视图,示根据先前技艺制造垂直 晶体管之集电极及基极部位; 图2a一2e为为一连串大为放大之概略 正视图,示根据本发明之原理制造一对场 效应晶体管; 图2f为图2c中所示晶体管替代性实施 例之大为放大之概略正视图; 图2g为图2f中所示场效应晶体管之平 面图;以及 图3a一3f为一连串大为放大之概略正视图 ,示根据本发明制造一种双极晶体管 |
