| 主权项 |
1﹒一种适合多孔矽之化学蚀刻液,包括:HF酸作为 蚀刻剂。 2﹒一种适合多孔矽之化学蚀刻液,包括:F酸与一种 醇之混合物作为蚀刻剂 。 3﹒一种适合多孔矽之化学蚀刻液,包括:F酸与H2O2 之混合物作为蚀刻 剂。 4﹒一种适合多孔矽之化学蚀刻剂,包括:HF酸,一种 醇和H2O2之混合 物作为蚀刻剂。 5﹒一种适合多孔矽之化学蚀刻液,包括:缓冲之HF 酸作为蚀刻剂。 6﹒一种适合多孔矽之化学蚀刻液,包括:经缓衡之 HF酸与一种醇的混合物 作为蚀刻剂。 7﹒一种适合多孔矽之化学蚀刻液,包括:经缓衡之 HF酸和H2O2之混合 物作为蚀刻剂。 8﹒一种适合多孔矽之化学蚀刻液,包括:经缓冲之 HF酸,一种醇和H2O 2之混合物作为蚀刻剂。 9﹒一种适合多孔矽之化学蚀刻方法,它包括使用HF 酸作为蚀刻剂。 10﹒一种适合多孔矽之化学蚀刻方法,它包括使用 HF酸与一种醇的混合物 作为蚀刻剂。 11﹒一种适合多孔矽之化学蚀刻方法,它包括使用 HF酸与H2O2的混合 物作为蚀刻剂。 12﹒一种适合多孔矽之化学蚀刻方法,它包括使用 HF酸,一种醇和H2O 2之混合物作为蚀刻剂。 13﹒一种适合多孔矽之化学蚀刻方法,它包活使用 缓衡之HF酸作为蚀刻剂 。 14﹒一种适合多孔矽之化学蚀刻方法,它包括使用 缓冲之HF酸与一种醇的 混合物作为蚀刻剂。 15﹒一种适合多孔矽之化学蚀刻方法,它包括使用 缓衡之HF酸和H2O2 的混合物作为蚀刻剂。 16﹒一种适合多孔矽之化学蚀刻方法,它包括使用 经缓衡之HF酸,一种醇 和H2O2之混合物作为蚀刻剂。 17﹒一种制造半导体构件之方法,它包括:形成具有 无孔矽单晶层和多孔矽 层之基体;将具有由一种绝缘材料所造成之一个表 面之另外基体连合至 该单晶层之表面上;及经由浸没入HF酸中,进行蚀刻 而移除多孔矽层 。 18﹒一种制造半导体构件之方法,它包括:形成具有 无孔矽单晶层和多孔矽 层之基体;将具有由一种绝缘材料所造成之一个表 面之另外基体连合至 该单晶层之表面上;及经由浸没入HF酸与一种醇的 混合物中,进行蚀 刻而移除多孔矽层。 19﹒一种制造半导体构件之方法,它包括:形成具有 无孔矽单晶层和多孔矽 层之基体;将具有由一种绝缘材料所造成之一个表 面之另外基体连合至 该单品层之表面上;及经由浸没入HF酸与H2O2之混合 物中,进行 蚀刻而移除多孔矽层。 20﹒一种制造半导体构件之方法,它包括:形成具有 无孔矽单晶层和多孔矽 层之基体;将具有由一种绝缘材料所造成之一个表 面之另外基体连合至 该单晶层之表面上经由浸没入HF酸,一种醇与H2O之 混合物中,进 行蚀刻而移除多孔矽层。 21﹒一种制造半导体构件之方法,它包括:形成具有 无孔矽单晶尼和多孔矽 层之基体;将具有由一种绝缘材料所造成之一个表 面之另外基体连合至 该单晶层之表面上;及经由浸没入经援衡之HF酸中, 进行蚀刻而移除 多孔矽层。 22﹒一种制造半导体构件之方法,它包括:形成具有 无孔矽单晶层和多孔矽 层之基体;将具有由一种绝缘材料所造成之一个表 面之另外基体连合至 该单晶层之表面上;及经由浸没入经缓冲之HF酸与 一种醇的混合物中 ,进行蚀刻而移除多孔矽层。 23﹒一种制造半导体构件之方法,它包括:形成具有 无孔矽单晶层和多孔矽 层之基体;将具有由一种绝缘材料所造成之一个表 面之另外基体连合至 该单晶层之表面上;及经由浸没入经缓冲之HF酸与H 2O2的混合物 中,进行蚀刻而移除多孔矽层。 24﹒一种制造半导体构件之方法,它包括:形成具有 无孔矽单晶层和多孔矽 层之基体;将具有由一种绝缘材料所造成之一个表 面之另外基体连合至 该单晶层之表面上;及经由浸没入经缓冲上HF酸,与 一种醇与H2O 2之混合物中,进行蚀刻而移除多孔矽层。 25﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔之矽基体 上;将一个光透射之 玻璃基片连合至该无孔矽单晶层上:及经由浸没该 使呈多孔矽基体入H F酸中,进行化学蚀刻来移去多孔矽,而选择性蚀刻 多孔矽。 26﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔之矽基体 上;连合具有一个绝 缘层在其表面上之另外矽基体至该无孔矽单晶层 之表面上;及经由浸没 该使呈多孔矽基体入HF酸中,进行化学蚀刻来移去 多孔矽,而选择性 蚀刻多孔矽。 27﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔之矽基体 上;形成一个氧化物 层在该多孔Si单晶层之表面上;连合一个光透射之 基体至该氧化物层 的表面上;及在用一种保护材料盖覆各表面(使里 多孔矽基体之表面除 外)后,经由浸没入HF酸中,进行化学蚀刻来移去使 呈多孔矽基体。 28﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔之矽基体 上;形成一个氧化物 层在该多孔Si单晶层之表面上;连合具有一种绝缘 材料在其表面上之 另外矽基体至该无孔矽单晶层上之氧化物层的表 面上;及经由浸没入H F酸中,进行化学蚀刻夹移去使呈多孔之矽基体。 29﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔之矽基体 上;连合一个光透射 之玻璃基片至无孔矽单晶层的表面上;及经由浸没 使呈多孔矽基体入H F酸与一种醇的混合物中,进行化学蚀刻而移除多 孔矽,选择性蚀刻多 孔矽。 30﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔矽基体上 ;连合具有一绝缘层 在其表面上之另外矽基体至该无孔Si单晶层的表 面上;及经由浸没该 使呈多孔矽基体入HF酸与一种醇之混合物中,进行 化学蚀刻来移去多 孔矽,而选择性蚀刻多孔矽。 31﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔矽基体上 ;形成一个氧化物层 在该无孔矽单晶层之表面上;连合一个光透射之基 体至氧化物层之表面 上;及在用一种保护材料盖覆各表面(使呈多孔之 矽基体之表面除外) 后,经由浸没入HF酸与一种醇之混合物中,进行化学 蚀刻而移除使多 孔之矽基体。 32﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔之矽基体 上;形成一个氧化物 层在该无孔矽单晶层之表面上;连合具有一种绝缘 材料在其表面上之另 外矽基体至该无孔矽单晶层上之氧化物层的表面 上;及经由浸没入HF 酸与一种醇之混合物中,进行化学蚀刻来移除使呈 多孔之矽基体。 33﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔之矽基体 上;连合一个光透射 之玻璃基片至无孔矽单晶层的表面上;及经由浸没 该使呈多孔矽基体入 HF酸与H2O2的混合物中,进行化学蚀刻来移去多孔矽 ,而选择性 蚀刻多孔矽。 34﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔矽基体上 ;连合具有一绝缘层 在其表面上之另外矽基体至该无孔矽单晶层的表 面上;及经由浸没该使 呈多孔之矽基体入HF酸与H2O2之混合物中,进行化学 蚀刻来移去 多孔矽,而选择性蚀刻多孔矽。 35﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔矽基体上 ;形成一个氧化物层 在该无孔矽单晶层之表面上;连合一个光透射之基 体至氧化物层之表面 上;及在用一种保护材料盖覆各表面(使呈多孔之 矽基体之表面除外) 后,经由浸没入包含HF酸与H2O2之混合物中,进行化 学蚀刻而移 除使呈多孔矽基体。 36﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔矽基体上 ;形成一个氧化物层 在该无孔矽单晶层之表面上;连合具有一种绝缘材 料在其表面上之另外 矽基体至该无孔矽单晶层上之氧化物层的表面上; 及经由浸没入HF酸 与H2O2之混合物,进行化学蚀刻来移除使呈多孔之 矽基体。 37﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔之矽基体 上;连合一个光透射 之玻璃基片至无孔矽单晶层的表面上;及经由浸没 该使呈多孔矽基体入 HF酸,一种醇与H2O2之混合物中,进行化学蚀刻来移 去多孔矽, 而选择性蚀刻多孔矽。 38﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔矽基体上 ;连合具有一绝缘层 在其表面上之另外矽基体至该无孔矽单晶层的表 面上;及经由浸没该使 呈多孔之矽基体入HF酸,一种醇与H2O2之混合物中, 进行化学蚀 刻来移去多孔矽,而选择性蚀刻多孔矽。 39﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔矽基体上 ;形成一个氧化物层 在该无孔矽单晶层之表面上;连合一个光透射之基 体至氧化物层之表面 上;及在用一种保护材料盖覆各表面(使呈多孔之 矽基体之表面除外) 后,经由浸没入HF酸,一种醇与H2O2的混合物中,进行 化学蚀刻 而移除使多孔之矽基体。 40﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶体在该使呈多孔之矽基体 上;形成一个氧化物 层在该无孔矽单晶层之表面上;连合具有一种绝缘 材料在其表面上之另 外矽基体至该无孔矽单晶层上之氧化物层的表面 上;及经由浸没入HF 酸,一种醇与H2O2之混合物中,进行化学蚀刻来移除 呈多孔之矽星 体。 41﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔,之矽基 体上;连合一个光透 射之玻璃基片至无孔矽单晶层的表面上;及经由浸 没该使呈多孔之矽基 体入经缓冲之HF酸中,进行化学蚀刻来移去多孔矽, 而选择性蚀刻多 孔矽。 42﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔矽基体上 ;连合具有一绝缘层 在其表面上之另外矽基体至该无孔矽单晶层的表 面上;及经由浸没该使 呈多孔之矽基体入经缓冲之HF酸中,进行化学蚀刻 来移去多孔矽,而 选择性蚀刻多孔矽。 43﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔矽基体上 ;形成一个氧化物层 在该无孔矽单晶层之表面上;连合一个光透射之基 体至氧化物层之表面 上;在用一种保护材料盖覆各表面(使呈多孔之矽 基体之表面除外)后 ,经由浸没入经缓冲之HF酸中,进行化学蚀刻而移除 使呈多孔之矽基 体。 44﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔之矽基体 上;形成一个氧化物 层在该无孔矽单晶层之表面上;连合具有一种绝缘 材料在其表面上之另 外矽基体至该无孔矽单晶层上之氧化物层的表面 上;及经由浸没入经缓 冲之HF酸中,进行化学蚀刻来移除使呈多孔矽基体 。 45﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔之矽基体 上;连合一个光透射 之玻璃基片至该无孔矽单品层之表面上;及经由浸 没该使呈多孔矽基体 入经缓冲之HF酸与一种醇的混合物中,进行化学蚀 刻来移去多孔矽, 而选择性蚀刻多孔矽。 46﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该位呈多孔矽基体上 ;连合具有一绝缘层 在其表面上之另外矽基体至该无孔矽单晶层的表 面上;及经由浸没该使 呈多孔矽基体入经缓冲之HF酸和一种醇之混合物 中,进行化学蚀刻来 移去多孔矽,而选择性蚀刻多孔矽。 47﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔矽基体上 ;形成一个氧化物层 在该无孔矽单晶层之表面上;连合一个光透射之基 体至氧化物层之表面 上;及在用一种保护材料盖覆各表面(使呈多孔之 矽基体之表面除外) 后,经由浸没入经缓冲之HF酸与一种醇之混合物中, 进行化学蚀刻而 移除使呈多孔之矽基体。 48﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔之矽基体 上;形成一个氧化物 层在该无孔矽单晶层之表面上;连合具有一种绝缘 材料在其表面上之另 外矽基体至该无孔矽单晶层上之氧化物层的表面 上;及经由浸没入经缓 衡之HF酸与一种醇之混合物中,进行化学蚀刻来移 除多孔之矽基体。 49﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔之矽基体 上;连合一个光透射 之玻璃基片至无孔矽单晶层的表面上;及经由浸没 该使呈多孔矽基体入 经缓冲之HF酸与H2O2的混合物中,进行化学蚀刻来移 去多孔矽, 而选择性蚀刻多孔矽50﹒一种制造半导体构件之 方法,此方法包括下 列步骤:使一片矽基体呈多孔;形成一个无孔矽单 晶层在该使呈多孔矽 基体上;连合具有一绝缘层在其表面上之另外矽基 体至该无孔矽单晶层 的表面上;及经由浸没该使呈多孔矽基体入经缓冲 之HF酸与H2O2 之混合物中,进行化学蚀刻来移去多孔矽,而选择 性蚀刻多孔矽。 51﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该呈多孔矽基体上; 形成一个氧化物层在 该无孔之矽单晶层之表面上;连合一个光透射之基 体至氧化物层之表面 上;及在用一种保护材料盖覆各表面(使呈多孔之 矽基体之表面除外) 后,经由浸没入经缓衡之HF酸与H2O2之混合物中,进 行化学蚀刻 而移除使多孔之矽基体。 52﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔之矽基体 上;形成一个氧化物 层在该无孔矽单晶层之表面上;连合具有一种绝缘 材料在其表面上之另 外矽基体至该无孔矽单晶层上之氧化物层的表面 上;及经由浸没入经缓 冲之HF酸与H2O2之混合物中,进行化学蚀刻来移除多 孔之矽基体 。 53﹒一种制造半导橙构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔之矽基体 上;连合一片光透射 之玻璃基片至该无孔矽单晶层之表面上;及经由浸 没该使呈多孔矽基体 入经缓衡之HF酸,一种醇与H2O2之混合物中,进行化 学蚀刻来移 去多孔矽,而选择性蚀刻多孔矽。 54﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步R:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该里多孔矽基体上; 连合具有一绝缘层在 其表面上之另外矽基体至该无孔矽单晶层的表面 上;及经由浸没该使呈 多孔矽基体入经缓衡之HF酸,一种醇与H2O2之混合物 中,进行化 学蚀刻来移去多孔矽,而选择性蚀刻多孔矽。 55﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该使呈多孔矽基体上 ;形成一个氧化物层 在该无孔矽单晶层之表面上;连合一个光透射之基 体至氧化物层之表面 上;及在用一种保护材料盖覆各表面(使呈多孔之 矽基体之表面除外) 后,经由浸没入经缓冲之HF酸,一种醇与H2O2之混合 物中,进行 化学蚀刻而移除使呈多孔之矽基体。 56﹒一种制造半导体构件之方法,此方法包括下列 步骤:使一片矽基体呈多 孔;形成一个无孔矽单晶层在该呈多孔之矽基体上 ;形成一个氧化物层 在该无孔之矽单晶层之表面上;连合具有一种绝缘 材料在其表面上之另 外矽基体至该无孔矽单晶层上之氧化物层的表面 上;及经由浸没入经缓 衡之HF酸,一种醇与H2O2之混合物中,进行化学蚀刻 来移除多孔 之矽基体。图示简单说明 图1A及1B是示意图,解释:使用 本发明之蚀刻液之蚀刻步骤; 图2A及2B是示意图,解释:使用 本发明之蚀刻液之蚀刻步骤; 图3A至3C是示意图,解释:使用 本发明之蚀刻液之蚀刻步骤; 图4A至4c是示意图,解释:使用 本发明之蚀刻液之蚀刻步骤; 图5A至5D是示意图,解释:使用 本发明之蚀刻液之蚀刻步骤; 图6A至6H是图表显示:当各自使 用本发明之蚀刻液时,多孔及无孔Si的 蚀刻性质; 图7A至7H是图表显示:当各自使 用本发明之蚀刻液时,多孔Si的蚀刻厚 度(蚀刻深度)与蚀刻时间间之关系; 图8A至8C是示意图,解释:制造 本发明之半导体构件之方法; 图9A至9D是示意图,解释:制造 本发明之半导体构件之方法; 图10A至10C是示意图,解释:制备 本发明之半导体构件之方法; 图11A至11D是示意图,解释:制备 本发明之半导体构件之方法; 图12A至12C是示意图,解释:制备 本发明之半导体构件之方法; 图13A至13C是示意图,解释:制备 本发明之半导体构件之方法;及 图14A至14D是示意图,解释:制备 本发明之半导体构件之方法。 |
