| 主权项 |
1﹒一种用以形成n井及p井之单光罩自调式制程包 括:在一基底上形成第一 层电介质/半导体/第二层电介质之堆积层,该第一 层电介质比该第二层 电介质厚;由该堆积层蚀刻去掉该第一层电介质之 一部份;将已选定道电 性型式之掺杂剂植入该基底,并利用该残留之第一 层电介质当做一植入光 罩;选择性地孳生一半导体层,并利用该半导体层 当做一籽晶层;除去该 残留之第一层电介层;及植入一与该选定导电性型 式相反导电性型式之掺 杂剂,并利用该选择性孳生之半导体层当做一植入 光罩。 2﹒如申请专利范围第1项所述之制程,其中该第一 及第二电介质包括氧化物 ,并且该半导体包括多晶矽。 3﹒如申请专利范围第2项所述之制程,其中该第一 层电介质系用一种各向异 性氧化物蚀刻剂蚀刻。 4﹒如申请专利范围第1项所述之制程,其中该选择 性孳生层为1徵米厚。 5﹒如申请专利范围第1项所述之制程,其中在植入 该相反导电性型式之前, 沿该选择性孳生层形成,电介质隔脽物。 6﹒如申请专利范围第5项所述之制程,其中该隔离 物系由氧化物,氮化物或 氮氧化物所组成族群选出。 7﹒如申请专利范围第1项所述之制程,其中在该相 反导电性型式之植入步骤 后加热该基底,以便将该等植入物扩散至该基底内 。 8﹒如申请专利范围第7项所述之制程,其中系利用 一熔炉加热该基底。 9﹒如申请专利范围第7项所述之制程,其中系利用 在氨气环境中基于快速热 处理之退火,以加热该基底。 10﹒如申请专利范围第7项所述之制程,其中在该加 热步骤之前除去该半导 体及第一层电介质。 11﹒一种用以形成n井及p井之单光罩自调式制程包 括:在一基底上形成第 一层电介质/半导体/第二层电介质之堆积层,该第 一层电介质比该第 二层电介质厚;由该堆积层蚀刻去掉该第一层电介 质之一部份;将一选 定导电性型式之掺杂剂植入该基底,并利用该残留 之第一层电介质当做 一植入光罩;选择性淀积一层;除去该残留之第一 层电介层;及植入一 与该选定导电性型式相反导电性型式之掺杂剂,并 利用该选择性淀积层 当做一植入光罩。 12﹒如申请专利范围第11项所述之制程,其中该第 一及第二电介质包括氧 化物,而该半导艘包括多晶矽。 13﹒如申请专利范围第12项所述之制程,其中系使 用一种各向异性氧化物 蚀刻剂蚀刻该第一层电介质。 14﹒如申请专利范围第11项所述之制程,其中在植 入该相反导电性型式之 前,沿该选择性淀积层形成一电介质隔离物。 15﹒如申请专利范围第14项所述之制程,其中由包 含氧化物、氮化物或氮 氧化物之族群选出该隔离物,16﹒如申请专利范围 第11项所述之制 程,其中在该相反导电性型式之植入步骤后加热该 基底,以便将该等植 入物扩散至该基底内。 17﹒如申请专利范围第16项所述之制程,其中系利 用一熔炉加热该基底。 18﹒如申请专利范围第16项所述之制程,其中系在 一氨气环境中使用基于 快速热处理之退火加热该基底。 19﹒如申请专利范围第16项所述之制程,其中系在 该加热步骤之前除去该 多晶矽及第一层电介质。图示简单说明 图1至5举例说明由下列各制程步骤 所导致结构的横截面图。 |
