| 主权项 |
1﹒一种制造传光、导电电极之方法,其含将一铟 鍚氧化先驱物于室温下溅射 于基质上之步骤,其中该溅射步骤乃于含下列诸气 体之混合气体中行之者 :a﹒溅射气体;b﹒稳定气体,其含至少H2及H2O类中所 选之一种 气体;c﹒含氟气体。 2﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中铟锡氧化 先驱物乃含铟与鍚之混合 物,其铟锡重量比为(1:5)或其以下。 3﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中溅射步骤 系于五十毫托或其以下之 压力下进行者。 4﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中含氟气体 中诸(F)原子对稳定气 体中氢原子克分子数之比为(0﹒005)至(1﹒0)。 5﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中含氟气体 乃选自(F2),(CF 4)及(BF6)气体类者。 6﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中稳定气体 对溅射气体之克分子比为 (0﹒005)至(1﹒0)。 7﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中该混合气 体尚含有氧气。 8﹒根据申请专利范围第7项之方法,其中稳定气体 对氧气之克分子比为(0 ﹒1)至(2﹒0)9﹒一种传光导电电极,其中该电极由 铟鍚氧化物所 构成,此氧化物且以含氟气体和自H2,H2O类选出之稳 定气体以及其 混合气体而予以掺杂者。 10﹒根据申请专利范围第9项之传光导电电极,其中 含氟气体乃自F2,C F4及BF6类中所选出者。 11﹒一种光伏装置,包含:a﹒一光伏半导体结构,其 具有第一和第二两侧 面;b﹒一第一电极与光伏半导体结构之第一侧做 定性接触,其中第一 电极由导电材料所构成;c﹒一第二电极与光伏半 导体结构之第二侧做 电性接触,该第二电极含有铟锡氧化物,此氧化物 系以一含氟气体与从 H2与H2O所选出之稳定气体所熔杂者。 |
