发明名称 |
SELECTIVE CRYSTAL GROWTH METHOD AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME |
摘要 |
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申请公布号 |
JPH05326545(A) |
申请公布日期 |
1993.12.10 |
申请号 |
JP19920130875 |
申请日期 |
1992.05.22 |
申请人 |
NIPPON TELEGR & TELEPH CORP <NTT> |
发明人 |
IRITONO TAKUMI |
分类号 |
H01L29/205;H01L21/331;H01L29/73;H01L29/737;(IPC1-7):H01L21/331 |
主分类号 |
H01L29/205 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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