发明名称 SELECTIVE CRYSTAL GROWTH METHOD AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
摘要
申请公布号 JPH05326545(A) 申请公布日期 1993.12.10
申请号 JP19920130875 申请日期 1992.05.22
申请人 NIPPON TELEGR & TELEPH CORP <NTT> 发明人 IRITONO TAKUMI
分类号 H01L29/205;H01L21/331;H01L29/73;H01L29/737;(IPC1-7):H01L21/331 主分类号 H01L29/205
代理机构 代理人
主权项
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