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发明名称 SUBSTRATE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT FOR MOS DYNAMIC RAM
摘要
申请公布号 JPH05325550(A) 申请公布日期 1993.12.10
申请号 JP19920133533 申请日期 1992.05.26
申请人 MITSUBISHI ELECTRIC CORP 发明人 KITANO TOSHIHIRO
分类号 G11C11/407;(IPC1-7):G11C11/407 主分类号 G11C11/407
代理机构 代理人
主权项
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