| 摘要 |
<p>Es wird eine fluidgekühlte Leistungstransistoranordnung vorgeschlagen, deren Halbleiterelement (1) über eine Metallelektrode (7) auf einem insbesondere plattenförmigen Isolierträger (9) angeordnet ist. Das Halbleiterelement (1) steht mit seiner dem Isolierträger (9) abgewandten Flachseite und/oder mit der dem Halbleiterelement (1) abgewandten Seite des Isolierträgers (9) in direktem Wärmetauschkontakt mit einem in einem Kühlfluidkanal (13) zwangsweise zirkulierenden Kühlfluid. Der Isolierträger (9) oder auch das Halbleiterelement (1) kann hierbei Wandbereiche des Kühlfluidkanals (13) bilden. Die mit dem Kühlfluid in Kontakt stehenden, zu kühlenden Wandflächen können zur Verbesserung des Wärmeübergangs mit einer die Grenzschichtdicke der Kühlfluidströmung mindernden Oberflächen-Mikrostruktur versehen sein. Die Verbesserung der Kühlwirkung verringert den benötigten Bauraum, so daß die elektrischen Ventile in unmittelbarer Nähe des zu schaltenden elektrischen Geräts untergebracht werden können. Dies ist insbesondere bei elektrischen Maschinen zur Minderung von Zuleitungsinduktivitäten von Vorteil. Zweckmäßigerweise werden die elektrische Maschine und die elektrischen Ventile von einem gemeinsamen Kühlfluidkreislauf gekühlt.</p> |
