| 发明名称 |
A METHOD OF FORMING HIGH-STABILITY METALLIC CONTACTS IN AN INTEGRATED CIRCUIT WITH ONE OR MORE METALLIZED LAYERS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0543254(A3) |
申请公布日期 |
1993.12.08 |
| 申请号 |
EP19920119191 |
申请日期 |
1992.11.10 |
| 申请人 |
SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L. |
发明人 |
BALDI, LIVIO |
| 分类号 |
H01L21/285;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/3213;H01L21/768;H01L23/52;(IPC1-7):H01L21/285;H01L21/90 |
主分类号 |
H01L21/285 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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