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发明名称 Vertikal-Trench-Transistor-/Kapazitätsspeicherzellen-Struktur und Herstellungsverfahren dafür.
摘要
申请公布号 DE3885185(D1) 申请公布日期 1993.12.02
申请号 DE19883885185 申请日期 1988.06.16
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP., ARMONK, N.Y., US 发明人 HWANG, WEI, ARMONK NEW YORK 10504, US;LU, CHAU-CHUN NICKY, YORKTOWN HEIGHTS NEW YORK 10598, US
分类号 H01L27/10;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/04;H01L27/108;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/82;H01L21/205 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
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