SILICON SUBSTRATE DRY-ETCHING METHOD AND DEVICE THEREOF,申请号JP19920113273-传众专利搜索

发明名称	SILICON SUBSTRATE DRY-ETCHING METHOD AND DEVICE THEREOF
摘要
申请公布号	JPH05315301(A)	申请公布日期	1993.11.26
申请号	JP19920113273	申请日期	1992.05.06
申请人	FUJITSU LTD	发明人	OKUNO MASAKI
分类号	H01L21/302;H01L21/3065;(IPC1-7):H01L21/302	主分类号	H01L21/302
代理机构		代理人
主权项
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