| 发明名称 |
MOS TYPE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH05314800(A) |
申请公布日期 |
1993.11.26 |
| 申请号 |
JP19920115601 |
申请日期 |
1992.05.08 |
| 申请人 |
NEC IC MICROCOMPUT SYST LTD |
发明人 |
TAIRA TAKASHI |
| 分类号 |
G11C17/00;G11C16/06;G11C29/00;G11C29/06;(IPC1-7):G11C29/00 |
主分类号 |
G11C17/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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