| 发明名称 |
GAAS HIGH OUTPUT SEMICONDUCTOR ELEMENT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH05315364(A) |
申请公布日期 |
1993.11.26 |
| 申请号 |
JP19920114533 |
申请日期 |
1992.05.07 |
| 申请人 |
MATSUSHITA ELECTRON CORP |
发明人 |
KANAZAWA KUNIHIKO;HIROSE MASANORI;FURUKAWA HIDETOSHI;SUGIMURA AKIHISA;YOKOYAMA SEIICHI |
| 分类号 |
H01L29/812;H01L21/338;(IPC1-7):H01L21/338 |
主分类号 |
H01L29/812 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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