| 摘要 |
<p>L'invention concerne une diode laser à puits quantique GaInAsSb à haute performance conçue pour convertir de l'énergie d'entrée en lumière infrarouge de sortie. La diode laser consiste en une région active formée par épitaxie par faisceaux moléculaires constituée d'une pluralité de puits quantiques GaInAsSb séparés par des couches d'arrêt AlGaAsSb. Ladite région active est prise en sandwich entre des couches de revêtement AlGaAsSb dont la teneur en Al est supérieure à celle des couches d'arrêt.</p> |
